纽斯频通讯社首尔2月12日电 韩国三星电子12日宣布，公司在全球率先量产并出货业界性能最强的高带宽存储器（HBM）4。

三星电子在HBM4研发阶段就将性能目标设定在超越半导体国际标准制定机构（JEDEC）的水平。

在制造工艺上，三星在DRAM单元芯片上采用1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术），基板芯片则采用4纳米代工厂工艺。

HBM4稳定实现约46%超越JEDEC标准8千兆比特每秒（Gbps）的11.7Gbps速度，最高可扩展至13Gbps，较前代HBM3E（9.6Gbps）提升约1.22倍。

单堆栈存储带宽达3TB/s，是上一代产品的2.4倍。采用12层堆叠技术可提供36GB容量，未来若采用16层堆叠，容量可扩展至48GB。

功耗与发热也得到改善。I/O针脚增至2048个，同时采用低功耗设计，增加TSV低电压设计与电力分配网络优化。能源效率较前代提升约40%，热阻降低10%，散热特性提升30%。

三星电子强调，其整合逻辑、存储、晶圆代工与封装的垂直整合制造（IDM）结构是核心优势，并将加强代工工艺与HBM设计之间的设计技术协同优化（DTCO）合作。在先进封装能力基础上，进一步确保供应稳定性。

另外，三星电子计划今年下半年出货HBM4E样品，明年起将逐步供应客户定制化HBM产品，满足人工智能（AI）与数据中心需求增加。（完） 

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社