AI 핵심 요약
beta- CXMT가 15일 AI 시대 HBM 경쟁력 과제를 안고 있음을 보도했다.
- CXMT는 범용 D램 생산력과 점유율을 빠르게 키웠지만 삼성·하이닉스와 공정 기술 격차가 1.5~2세대 존재한다.
- HBM에서는 수율·적층 기술 부족으로 선두권과 격차가 커 공모 자금을 투입해 차세대 메모리 기술 투자에 나선다.
!AI가 자동 생성한 요약으로 정확하지 않을 수 있어요.
AI시대 메모리 시장 패권의 핵심은 HBM
CXMT D램 생산 능력에서는 3위 가능성
최대 약점은 HBM, 기술력 증강 최대 관문
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[서울=뉴스핌] 배상희 기자 = AI 기술 확산으로 메모리 반도체 산업의 경쟁 기준도 빠르게 바뀌고 있다.
과거에는 생산능력과 원가 경쟁력이 시장 점유율을 좌우했다면, 이제는 AI 서버에 탑재되는 HBM(고대역폭메모리) 기술력이 기업 경쟁력을 결정하는 핵심 요소로 자리 잡고 있다.
글로벌 선두 메모리 업체들은 범용 D램 일부 생산능력을 HBM으로 전환하며 AI 메모리 시장 선점에 속도를 내고 있으며, HBM은 단순한 고부가가치 제품을 넘어 향후 D램 산업의 수익성과 시장 지배력을 좌우할 전략 제품으로 평가 받고 있다.
이러한 변화 속에서 창신메모리테크놀로지(長鑫科技·CXMT 688825.SH)는 범용 D램 시장에서는 빠르게 존재감을 키우고 있지만, HBM에서는 여전히 글로벌 선두 업체들과 기술 격차를 좁혀야 하는 과제를 안고 있다.
결국 AI 시대 메모리 패권 경쟁의 핵심은 '얼마나 많은 D램을 생산하느냐'가 아니라 '얼마나 경쟁력 있는 HBM을 만들 수 있느냐'에 달려 있다는 평가가 나온다.
업계는 향후 HBM 기술 확보, 차세대 공정 개발, 생산능력 확대, 안정적인 공급망 구축 여부가 CXMT의 글로벌 경쟁력을 좌우할 핵심 변수가 될 것으로 전망한다.
◆ 범용 D램 '생산력 3위 기대, 1.5~2세대 격차 여전'
CXMT는 현재 중국에서 D램을 대규모 양산할 수 있는 유일한 IDM(종합반도체기업)이다. CXMT의 D램 기술은 독일 DRAM 기업 키몬다(Qimonda)의 기술을 기반으로 발전했다.
CXMT는 2019년 키몬다 특허 라이선스를 확보하고 약 2.8TB 규모의 기술문서를 활용해 핵심 기술인 BWL(매립형 워드라인) 기술을 내재화했다. 이후 46 나노미터(nm)급 BWL 셀 개발에 성공한 뒤 이를 10nm급 공정까지 발전시켰다.
BWL 기술은 칩 집적도를 높이고, 데이터 보존 성능과 전력 효율을 개선하는 장점이 있어 현재 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 글로벌 DRAM 선두 업체들도 채택한 주류 기술이다.
CXMT는 키몬다의 기술 자산을 기반으로 이 분야에 빠르게 진입하며 기술 경쟁력을 확보했다.
최근 몇 년간 글로벌 메모리 업체들이 AI 서버용 HBM 등 고부가가치 제품에 생산능력을 집중하는 사이 CXMT는 범용 D램 시장을 적극 공략하며 점유율을 확대해왔다.
'세대 건너뛰기 전략'을 통해 1세대부터 4세대 공정 플랫폼까지 양산에 성공했으며, DDR4·DDR5와 LPDDR4X, LPDDR5·LPDDR5X 등 주요 제품군을 모두 생산하면서 중국 메모리 반도체 국산화를 이끌고 있다.
중국 스토리지 산업 전문 시장조사업체 차이나플래시마켓(閃存市場∙CFM∙ChinaFlashMarket)과 글로벌 시장분석기관인 카운터포인트 리서치(Counterpoint Research)가 공개한 데이터에 따르면 CXMT의 글로벌 D램 시장점유율은 매출 기준으로 2025년 1분기 3%에서 2026년 1분기 7.7~8% 수준으로 상승해 세계 4위를 기록했다.
이와 함께 올해 1분기 D램 매출은 73억900만 달러를 기록해 전 분기 대비 115.1% 증가했다.
이 같은 CXMT의 범용 D램 경쟁력와 생산능력이 부각되면서, 글로벌 IT 기업들의 관심도 높아지고 있다.
최근에는 애플(AAPL.US)이 CXMT를 공급망에 추가하는 방안을 검토하고 있다는 관측도 제기되며 시장의 이목을 집중시켰다.
애플이 CXMT를 공급망에 검토하는 배경에는 AI 수요 확대에 따른 D램 가격 급등과 공급 부족, 공급망 다변화를 통한 원가 절감, 중국 시장에서의 현지 조달 확대 전략 등이 복합적으로 작용한 것으로 분석된다.
앞서 소개했듯 미국 반도체 전문 분석기관 세미애널리시스(SemiAnalysis)는 CXMT의 생산능력 확대가 지속될 경우 2026년 말에는 웨이퍼 생산능력 기준으로 세계 3위인 마이크론(MU.US)에 근접할 수 있다고 평가했다.
다만 이는 생산능력 기준이며, 매출이나 시장점유율 기준이 아니다.
공정 기술 측면에서 CXMT의 주력 제품은 현재 16nm급(G4 계열) 공정을 기반으로 생산되고 있으며, 최신 DDR5 제품은 최대 8000MT/s급 전송속도를 지원하는 것으로 알려져 있다. 업계에서는 양산 수율이 약 80% 수준까지 향상된 것으로 추정한다.
반면 삼성전자(005930.KS)와 SK하이닉스(000660.KS/SKHY.US)는 현재 1b nm(12~13nm) 공정을 주력으로 양산하고 있으며, 1c nm(11~12nm) 공정도 2025년부터 본격 개발에 들어갔다. 양산 수율 역시 업계 최고 수준으로 평가된다.
글로벌 시장조사업체들의 평가를 종합해보면, CXMT과 삼성전자·SK하이닉스 등 글로벌 선두 기업 간 DRAM 공정 기술 격차는 약 1.5~2세대로 보는 시각이 우세하다.
◆ 더 큰 약점은 HBM, 선두권과 벌어진 기술격차
CXMT는 독일 키몬다의 기술 자산을 기반으로 출발했지만, 현재는 자체 연구개발 역량을 바탕으로 G4 공정에서 G5 공정으로 기술 고도화를 추진하는 동시에 HBM 개발에도 속도를 내고 있다.
현재 CXMT는 HBM2 생산을 추진하고 있으며, 업계에서는 HBM3 샘플을 화웨이와 캠브리콘 등 중국 AI 반도체 업체에 공급해 고객사 평가를 진행 중인 것으로 보고 있다. 또한 2027년 12단 적층 HBM3E 양산을 목표로 차세대 제품 개발을 추진하고 있다.
현재 SK하이닉스와 삼성전자, 마이크론 등 글로벌 선두 업체는 HBM4 양산과 HBM4E 개발, 더 나아가 HBM5 연구개발까지 진행하고 있는 반면, CXMT는 아직 상업적 규모의 HBM 양산 단계에는 이르지 못한 것으로 평가된다.
세미애널리시스는 보고서를 통해 현재 CXMT가 HBM3 8단 제품 개발 및 양산 안정화 단계에 있으며, 기술 난도가 높은 HBM3 12단과 HBM3E는 향후 개발 과제로 남아 있다고 진단했다.
특히 HBM 경쟁력의 핵심은 적층 기술과 수율(Yield)이라고 강조했다.
HBM은 TSV(실리콘관통전극)를 이용해 여러 개의 D램 칩을 적층하는 구조여서 일반 D램보다 제조 난도가 크게 높다.
세미애널리시스는 현재 CXMT HBM 생산의 가장 큰 병목으로 적층 공정을 꼽았으며, 자체 분석을 통해 전공정 수율을 약 35%, 후공정 수율을 약 70%, 최종 수율을 약 25% 수준으로 추정했다. 이는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 글로벌 메모리 3사와 비교하면 여전히 상당한 격차가 있는 수준이라는 평가다.
이와 관련해 독일 IT 전문매체 컴퓨터베이스(ComputerBase)는 지난 4월 CXMT의 HBM3 양산 일정이 다시 지연됐다고 보도했다. 업계에서 알려진 초기 개발 로드맵은 2025년 HBM3, 2027년 HBM3E 양산을 목표로 했으나, 낮은 수율과 장비 확보 지연, 열관리 문제 등으로 일정에 차질이 발생한 것으로 전해졌다.
범용 D램 사정에서는 업황 개선과 가격 상승에 힘입어 CXMT의 실적도 큰 폭으로 개선됐다. 반면 HBM 사업은 아직 상업적 양산 단계에 이르지 못해 본격적인 실적 기여는 제한적인 것으로 평가된다.
HBM은 AI 시대 핵심 메모리로, 향후 D램 산업의 성장을 이끌 핵심 시장으로 평가받는다. 이에 HBM 양산 능력 확보는 CXMT가 글로벌 선두 업체와의 기술 격차를 줄이기 위한 핵심 과제로 꼽힌다.
이번 과창판 IPO를 통해 조달할 295억 위안의 공모 자금은 △메모리 웨이퍼 양산라인 기술 업그레이드 프로젝트(130억 위안) △D램 기술 고도화 프로젝트(90억 위안) △차세대 D램 선행기술 연구개발 프로젝트(나머지 자금)에 투입될 예정이다. 업계에서는 이를 바탕으로 차세대 메모리 기술과 제조 경쟁력 확보를 위한 투자가 한층 확대될 것으로 보고 있다.
세미애널리시스는 중국 정부의 AI 반도체 자립 전략과 AI 서버 시장 확대에 따라 CXMT가 앞으로 범용 D램 중심에서 HBM 비중을 점차 높여갈 것으로 전망했다. 또한 화웨이와의 협력을 통해 국제 메모리 표준인 'JEDEC' 규격과는 다른 자체 인터페이스 기반 HBM을 개발할 가능성도 제기했다.
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pxx17@newspim.com
