纽斯频通讯社首尔10月20日电 中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）计划投入349亿元人民币用于下一代动态随机存取存储器（DRAM）技术研发和后道检测设施扩建，以提升技术竞争力，并加快向高附加值服务器用DRAM市场拓展。

据半导体及证券行业19日消息，长鑫存储当天在中国合肥召开临时股东大会，审议总额349亿元人民币的研发及后道投资计划。该计划于上月公布，此次股东大会旨在审批相关资金的使用。

根据长鑫存储公布的投资计划，349亿元总投资中，241亿元将用于下一代DRAM技术研发，其中约224亿元用于购买半导体生产设备。其余108亿元将用于扩建检测设施，以应对DRAM产量增长带来的检测需求。整体投资中，约69%将用于技术研发。

在技术研发方面，长鑫存储计划通过引进先进生产设备，开发尺寸更小、性能更强的DRAM产品，并提高生产效率。此前，该公司公布了可将半导体存储单元面积缩小33%的下一代4F²技术，并表示计划于年内推出服务器用DDR5产品。

服务器用DRAM主要应用于大型数据中心，与智能手机和个人电脑使用的通用型DRAM相比，对性能和稳定性的要求更高。长鑫存储此次加大研发投入，旨在拓展高附加值服务器用DRAM产品线，推动业务结构从通用型产品向更高附加值产品延伸。

在检测设施方面，长鑫存储计划在中国合肥建设两座DRAM后道测试基地，直接检测半导体芯片的性能及缺陷情况，并组装内存模组。公司希望通过扩充检测能力，降低检测成本、减少生产延误，并提高产品质量与可靠性。

长鑫存储近年来持续推进技术研发，已成长为全球DRAM市场第四大厂商。随着其公布下一代4F²技术并加大投资，市场对其在服务器用DRAM领域的发展更加关注。若相关投资进一步转化为实际产能，并推动下一代产品实现稳定量产，长鑫存储可能加大对三星电子和SK海力士等企业的竞争压力。

不过，长鑫存储尚未公布下一代4F² DRAM的具体性能、量产良率及生产规模，其实际量产时间和供货客户也尚未得到确认。相关技术能否顺利实现大规模生产，以及能否满足服务器客户的质量要求，仍有待观察。

业内人士表示，长鑫存储虽然已公布下一代DRAM技术研发计划，但具体量产时间、生产规模及实际供货客户等信息仍不明确。随着后续相关信息披露，其实际技术实力和市场地位将进一步显现，DRAM市场的竞争格局也可能随之发生变化。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社