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[서울=뉴스핌] 배상희 기자 = 24일 중국 샤오미(1810.HK)가 자체 개발한 모바일 시스템 온 칩(SoC, System on Chip, 여러 기능의 시스템을 하나의 칩으로 집적시킨 반도체) '쉬안제(玄戒∙XRING)' 계열 플래그십 AI 반도체 3종을 공식 공개했다.

신제품은 엑스링(XRING) O3, 엑스링 O100, 엑스링 D100으로, 스마트폰·스마트기기부터 자율주행까지 샤오미의 '사람·자동차·가정' 전 생태계에서 필요한 엣드 AI 연산을 지원하도록 설계됐다.

세 제품 모두 검증을 완료했으며, O3는 차세대 플래그십 폴더블폰 샤오미 18 Fold에 처음 탑재되고 O100과 D100은 내년 상용화될 예정이다.

◆ 3nm AI 플래그십 SoC '엑스링 O3'

엑스링 O3는 샤오미가 최고급 제품을 위해 개발한 첫 AI 플래그십 SoC다.

회사 측 설명에 따르면 3나노(nm) 공정, 240억 개 트랜지스터를 적용했으며, 중국의 하드웨어 성능 테스트 업체 안투투(安兔兔) 벤치마크 테스트에서 522만 점을 기록해 500만 점을 처음 넘어선 플래그십 SoC로 평가받았다.

10코어 CPU와 16코어 GPU를 탑재했으며, CPU 최고 클럭은 4.35GHz다. 전작 O1 대비 CPU 싱글코어 성능은 31%, 멀티코어 성능은 60% 향상됐고, 일상 사용 구간의 소비전력은 25% 낮췄다.

또한 업계 최초로 LPDDR6 메모리를 지원해 메모리 대역폭을 113.8GB/s까지 높였으며, 메모리 접근 지연시간은 82ns까지 낮췄다. 대규모 언어모델에 최적화한 NPU 아키텍처도 적용해 Tensor 연산 성능 200TOPS를 구현했다. 샤오미는 엣지 AI 연산에서 기존 플래그십 SoC보다 첫 토큰 생성 속도는 40%, 추론 속도는 45% 높이고, 실행 전력은 26% 낮췄다고 밝혔다.

◆ 초고대역폭 AI 가속칩 '엑스링 O100'

엑스링 O100은 거대언어모델(LLM)용 AI 가속칩으로, 6나노 3D 웨이퍼 적층 기술을 적용했다. 두 장의 고속 DRAM 웨이퍼와 한 장의 고성능 NPU 웨이퍼를 수직으로 적층하고 하이브리드 본딩 기술을 적용해 접합 간격을 1.4㎛까지 줄였다.

이를 통해 1.22TB/s의 메모리 대역폭을 구현했다. 샤오미는 기존 플래그십 스마트폰의 LPDDR5X 메모리 대역폭보다 약 16배 높은 수준이라고 설명했다. O100과 O3를 함께 사용할 경우 로컬 AI 추론 속도를 최대 330토큰/초까지 구현할 수 있다고 밝혔다.

◆ 고성능 자율주행 AI 칩 '엑스링 D100'

엑스링 D100은 중국 내 최초의 3나노 고성능 자율주행 AI 칩으로 소개됐다. 20코어 고성능 CPU와 16코어 고성능 NPU를 탑재했으며, 최대 160GB 통합 메모리를 지원한다. 최대 2,000억 개 파라미터 규모의 초대형 모델을 로컬에서 구동할 수 있도록 설계됐다. 현재 모든 검증을 완료했으며 내년 정식 상용화될 예정이다.

샤오미는 이번 3종의 칩을 통해 주머니 속 스마트기기부터 차량, 가정, 공장까지 전 생태계의 AI 연산 기반을 구축한다는 계획이다. 샤오미는 엑스링이 단순한 반도체 전략을 넘어 자체 AI 전략을 뒷받침하는 물리적 기반이라고 설명했다.

pxx17@newspim.com