纽斯频通讯社首尔11月3日电 中国长鑫存储（CXMT）正借助全球存储芯片供应趋紧的市场环境扩大业务规模。市场研究机构数据显示，该公司全球DRAM（动态随机存取存储器）营收市场份额已从去年第二季度的4%升至今年第二季度的10%。同时，其客户预付款大幅增长，反映出市场对其产品的需求有所增加。但业内指出，市场份额提升不意味着先进存储技术竞争力同步增强，长鑫存储在高带宽存储器（HBM）等领域与韩国领先企业仍存在差距。

据半导体行业3日消息，长鑫存储上月30日公布的第三季度财务报表显示，截至9月底，公司合同负债为70.36亿元人民币，较去年年底的4.47亿元人民币增长约15.7倍。合同负债主要指客户在收到产品前预先支付的款项，反映出企业未来待交付产品对应的预收款有所增加。

长鑫存储当天在业绩说明会上表示，正在与多家主要客户商谈长期供货合同，但未披露已锁定的具体供货量及其占总产能的比例。

相比之下，韩国三星电子和SK海力士近期公布了较为具体的长期供货安排。SK海力士上月28日表示，已与14家主要客户签订长期供货合同，合同约定的供货量占其2027年和2028年总产能的50%以上。三星电子上月29日表示，已与10家主要客户签订合同，并正与另外10家客户进行谈判，计划通过长期合同锁定中长期产能的60%至70%。

在产能方面，长鑫存储也未公布具体数据。今年上半年，公司在业绩说明会上回应投资者有关新增产能及预订情况的提问时，仅表示其产能规模已达到中国第一、全球第四的水平，未进一步说明下半年及明年的产能增幅。此外，对于服务器用DRAM的营收占比，公司也仅表示相关产品的营收贡献正在增加。

市场研究机构Counterpoint Research数据显示，长鑫存储全球DRAM营收市场份额已从去年第二季度的4%升至今年第二季度的10%。不过，韩国半导体业界认为，由于难以准确掌握长鑫存储面向中国国内市场的供货量及工厂实际运行情况，市场机构的估算数据未必能够充分反映其真实生产规模。

在技术研发方面，长鑫存储上月宣布，计划于年内推出采用下一代4F²结构的服务器用DDR5产品。与目前主流的6F²结构相比，4F²结构有望将存储单元面积缩小约33%。这一技术进展引发外界对中国企业能否率先实现下一代DRAM技术商业化的关注。

不过，长鑫存储上月30日进一步公布的研发进展是，其第六代DRAM工艺平台工程样品已完成验证。公司计划于年底向客户提供产品样品，实际量产时间则将根据客户验证进度和市场需求确定。目前，公司尚未公布相关产品的容量、运行速度及生产良率等关键指标，因此该技术在降低生产成本、提升产品竞争力方面的实际效果仍有待验证。

在高带宽存储器领域，长鑫存储与韩国企业的差距受到更多关注。路透社上月28日援引多名知情人士的话报道，长鑫存储正在推进生产的HBM3E良率约为20%至30%，低于SK海力士约70%的水平。报道还称，长鑫存储研发的HBM3E在测试中表现出的性能更接近上一代HBM3产品，而非同代HBM3E产品。上述良率和性能信息并非长鑫存储官方公布的数据。

目前，三星电子和SK海力士已进入HBM4商业化供货阶段，而长鑫存储尚未公开其HBM3E产品是否通过客户验证，也未披露稳定量产所需的良率水平。

业界认为，中国企业扩大通用型DRAM供应，可能对全球存储芯片市场的供需关系和价格结构产生影响。尽管长鑫存储短期内在高附加值HBM市场与韩国领先企业展开直接竞争仍面临挑战，但其依托中国国内市场扩大生产和供货的趋势，仍值得关注。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社